PECVD是一種封裝技術(shù)，不是蒸鍍技術(shù)。PECVD是一種通過(guò)給定的氣體（如氮?dú)?、氫氣和硅烷等）在真空環(huán)境中產(chǎn)生等離子體，并將其用于沉積薄膜的方法。這種沉積過(guò)程是在真空環(huán)境中進(jìn)行的，而不是在液態(tài)或固態(tài)環(huán)境中進(jìn)行的。PECVD主要用于制造微電子和光電子器件，例如晶體管、太陽(yáng)能電池和LED等。因此，PECVD技術(shù)是一種非常重要的封裝技術(shù)。

PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 是一種在高真空環(huán)境下進(jìn)行的化學(xué)氣相沉積技術(shù)。它通過(guò)在氣相中產(chǎn)生等離子體，使得化學(xué)反應(yīng)發(fā)生在沉積表面上，從而在基板上沉積出薄膜。因此，PECVD屬于一種化學(xué)氣相沉積技術(shù)，而不是蒸鍍。PECVD可用于制備多種材料，包括硅、氮化硅、氧化鋁、石墨等，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體工業(yè)，液晶顯示器、太陽(yáng)能電池板等領(lǐng)域。